پاورپوینت ترانزيستورهاي اثر ميدان (FET)

                نوع فایل:power point قابل ویرایش: 21 اسلاید   قسمتی از اسلایدها: عملکرد ترانزیستور با ولتاژ گیت صفر -دو لایه فلزی  موازی گیت و بدنه صفحات یک خازن و لایه اکسید نیز عایق آن را تشکیل می دهد. -دو اتصال pn (اتصال سورس – بدنه و درین – بدنه) دو دیود پشت به پشت را تشکیل می دهد -پایه های سورس و درین بوسیله دو ناحیه تخلیه ایزوله شده و جریانی بین آن ها برقرار نیست. ایجاد کانال به منظور برقراری جریان -بارهای مثبت حاصل از اتصال گیت به ولتاژ مثبت به گیت اعمال می شود. -بارهای مثبت حفره ها را به سمت پائین بدنه (ناحیه p) می رانند و ناحیه تخلیه ای در منطقه زیر ناحیه گیت شکل می گیرد. -همزمان با افزایش ولتاژ گیت (رسیدن به ولتاژ آستانه) الکترون ها  در سطح زیرلایه تجمع می کنند (ولتاژ مثبت گیت الکترون ها را از نواحی N سورس  و درین جذب می کند) -دو ناحیه n باعث ایجاد کانالی به منظور برقراری جریان بین سورس و درین عمل می کنند.   فهرست مطالب واسلایدها: ترانزيستور ميدان Field Effecاثرt Transistor تعر …