پاورپوینت ترانزيستورهاي اثر ميدان (FET)

پاورپوینت ترانزيستورهاي اثر ميدان (FET)


فرمت فایل : پاورپوینت قابل ویرایش      تعداد اسلاید: 20   قسمتی از پاورپوینت :     كلمه ترانزيستور از دو كلمه ترانس (انتقال) و رزيستور (مقاومت) تشكيل شده است و قطعه اي است كه از طريق انتقال مقاومت به خروجي باعث تقويت مي شود. ترانزیستور اثر میدان، دسته‌ای ازترانزيستورها هستند که مبنای کار کنترل جریان در آن‌ها توسط یک ميدان الكتريكي صورت می‌گیرد. با توجه به اینکه در این ترانزیستورها تنها یک نوع حامل بار (الکترون آزاد یا حفره) در ایجاد جریان الکتریکی دخالت دارند، می‌توان آن‌ها را جزو ترانزیستورهای تک‌قطبی محسوب کرد     اگر قطعه اي سيليكن با ناخالصي نوع n به دو سر يك باتري وصل كنيم جرياني با توجه به ميزان مقاومت سيليكن در مدار جاري مي شود   ترانزيستور اثر ميدان با گيت عايق شده Isolated Gate Field Effect Transistor (IGFET) به دليل افزايش جريان نشتي گيت – سورس با افزايش دماي محيط و كاهش مقاومت ورودي آن  گيت ترانزيستور با يك لايه اكسيد سيليكون از كانال جدا شده و هيچ جرياني از آن عبور نمي ك …

دیدگاهی بنویسید

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *